FETの実験(3)

スラマッマラムー N.C.です。
この挨拶、癖になりそうです。
実験回路を改良して、3度目の実験を行いました。(よくもまあ飽きずに・・・)
まあ、改良といっても電流検出用の抵抗を0.1Ωに戻して、ソース・グランド間に移動しただけですが。ソースの電位が少し動いてしまいますが、影響はほとんどないレベルのはずです。こうすることで、測定を非常にやりやすくなりました。
ちなみに、まだ実験回路の写真をアップしていなかったので、改良前の写真ですが、とりあえずupします。

実験回路(ただし改良前です)

左側の部品が定電流源に使っているパワーMOSFETで、一番右側の、基盤からはみ出している小さい黒いやつが測定対象のパワーMOSFET(2SK2962)です。これらの間にある放熱板つきの黒いのはバイポーラトランジスタで、その左にあるのはショットキーバリアダイオードです。
改良後は、中央付近の抵抗の位置が変わりました。
さて、改良後、どんな感じに波形を観測できたかというと、

図1:波形の例(赤:VGS, 緑:VDS, 黄:ID)2V/div, 0.2A/div

IDを測りやすくなりました。

1,ミラー電圧
図1については後で詳しく調べることにして、まずは、ミラー電圧Vmillerを測りました。前回よりも細かく見ることができました。
測定したIDとVmillerの対応は図2のようになりました。前回もグラフを載せればよかったですね。

図2:ドレイン電流とミラー電流の関係(横軸はドレイン電流のルートをとってある)

2,スイッチングの時間
電流を0.6A付近に調節したときのON、OFF時のVGS,VDS,IDの波形は以下のようになりました。但し、図中の文字などはオシロスコープからパソコンに取り込んだのち、ペイントソフトで付け加えたものです。

図2:ON時の波形
図3:OFF時の波形

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