スラマッマラムー N.C.です。
この挨拶、癖になりそうです。
実験回路を改良して、３度目の実験を行いました。（よくもまあ飽きずに・・・）
まあ、改良といっても電流検出用の抵抗を0.1Ωに戻して、ソース・グランド間に移動しただけですが。ソースの電位が少し動いてしまいますが、影響はほとんどないレベルのはずです。こうすることで、測定を非常にやりやすくなりました。
ちなみに、まだ実験回路の写真をアップしていなかったので、改良前の写真ですが、とりあえずupします。
左側の部品が定電流源に使っているパワーMOSFETで、一番右側の、基盤からはみ出している小さい黒いやつが測定対象のパワーMOSFET(2SK2962)です。これらの間にある放熱板つきの黒いのはバイポーラトランジスタで、その左にあるのはショットキーバリアダイオードです。
改良後は、中央付近の抵抗の位置が変わりました。
さて、改良後、どんな感じに波形を観測できたかというと、
IDを測りやすくなりました。
1,ミラー電圧
図1については後で詳しく調べることにして、まずは、ミラー電圧Vmillerを測りました。前回よりも細かく見ることができました。
測定したIDとVmillerの対応は図2のようになりました。前回もグラフを載せればよかったですね。
2,スイッチングの時間
電流を0.6A付近に調節したときのON、OFF時のVGS,VDS,IDの波形は以下のようになりました。但し、図中の文字などはオシロスコープからパソコンに取り込んだのち、ペイントソフトで付け加えたものです。
